Инвентаризация:1570

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 245W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227 (ISOTOP®)
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 137 nC @ 20 V
  • 1990 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227

Инвентаризация: 50

SICFET N-CH 700V 124A SOT227

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227

Инвентаризация: 26

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

Инвентаризация: 4

Top