- Модель продукта NTH4L028N170M1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 81A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 60A, 20V
- Материал феррулы 535W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -15V
- 1700 V
- 200 nC @ 20 V
- 4230 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
PCB TERMINAL BLOCK; LEVER; 6 MM;
Инвентаризация: 828
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Инвентаризация: 1299
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Инвентаризация: 704
IGBT 2500V 95A PLUS247-3
Инвентаризация: 102
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Инвентаризация: 34
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Инвентаризация: 246
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Инвентаризация: 25
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Инвентаризация: 742
