Инвентаризация:1540

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 43A, 20V
  • Материал феррулы 429W (Tc)
  • Барьерный тип 5.1V @ 13.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-14
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 1200 V
  • 82 nC @ 20 V
  • 2667 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 192

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top