- Модель продукта BSM180D12P2C101
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1130W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 204A (Tc)
- Глубина 23000pF @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 35.2mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Инвентаризация: 7
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Инвентаризация: 13
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 10
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 450A
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 417A
Инвентаризация: 0
