Инвентаризация:1507

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 530A
  • Глубина 39600pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 3.55mOhm @ 530A, 15V
  • Тип симистора 1362nC @ 4V
  • Барьерный тип 3.6V @ 140mA
  • Максимальное переменное напряжение Module

Сопутствующие товары


SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 5

SIC 1700V 320A MODULE

Инвентаризация: 0

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

Инвентаризация: 51

SIC 2N-CH 1200V 417A

Инвентаризация: 0

Top