- Модель продукта BSM600D12P4G103
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1504
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1.78kW (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 567A (Tc)
- Глубина 59000pF @ 10V
- Барьерный тип 4.8V @ 291.2mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
Инвентаризация: 7
SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Инвентаризация: 9
