- Модель продукта FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1509
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 400A (Tj)
- Глубина 48400pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 2.27mOhm @ 400A, 18V
- Тип симистора 1600nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 224mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY3B