- Модель продукта FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tj)
- Глубина 8800pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 8.1mOhm @ 100A, 18V
- Тип симистора 297nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 40mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY1B
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Инвентаризация: 40
SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
Инвентаризация: 24
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Инвентаризация: 45
SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Инвентаризация: 18
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
