- Модель продукта DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 45A
- Глубина 4400pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 16.2mOhm @ 50A, 18V
- Тип симистора 149nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY1B
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Инвентаризация: 5
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Инвентаризация: 40
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Инвентаризация: 59
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Инвентаризация: 1
SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1700V 64A
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 700V 124A
Инвентаризация: 0
