- Модель продукта F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 85A (Tj)
- Глубина 8800pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 100A, 18V
- Тип симистора 297nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 40mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY2B
Сопутствующие товары
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
LOW POWER EASY
Инвентаризация: 15
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Инвентаризация: 19
SIC 1200V AG-EASY1B
Инвентаризация: 20
SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Инвентаризация: 30
SIC 2N-CH 900V 149A
Инвентаризация: 32
POSITION&CURRENT SENSORS
Инвентаризация: 10533
