Инвентаризация:1532

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 352W (Tj)
  • Внутренняя отделка контактов 900V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 149A (Tc)
  • Глубина 7007pF @ 450V
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 100A, 15V
  • Тип симистора 546.4nC @ 15V
  • Барьерный тип 4.3V @ 40mA

Сопутствующие товары


MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE

Инвентаризация: 351

SIC 4N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 1200V AG-EASY1B

Инвентаризация: 38

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

Инвентаризация: 19

SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B

Инвентаризация: 9

SIC 2N-CH 700V 353A

Инвентаризация: 6

SIC 4N-CH 700V 349A SP6C

Инвентаризация: 4

SIC 4N-CH 700V 124A SP3F

Инвентаризация: 5

Top