- Модель продукта BSM450D12P4G102
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1504
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1.45kW (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 447A (Tc)
- Глубина 44000pF @ 10V
- Барьерный тип 4.8V @ 218.4mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 4
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
