- Модель продукта FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание LOW POWER EASY
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1518
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 20mW
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 170A
- Глубина 17600pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 200A, 18V
- Тип симистора 594nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 80mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY2B
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Инвентаризация: 18
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
