Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 500A (Tc)
• Глубина 39700pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 2.13mOhm @ 500A, 15V
• Тип симистора 1340nC @ 15V
• Барьерный тип 5.15V @ 224mA
• Максимальное переменное напряжение AG-62MMHB