Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 1.1kW (Tj)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 338A (Tj)
• Глубина 16410pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 200A, 18V
• Тип симистора 876nC @ 20V
• Барьерный тип 4.4V @ 120mA
• Максимальное переменное напряжение 36-PIM (56.7x62.8)