Инвентаризация:1549

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 6 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 10mW
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tj)
  • Глубина 6700pF @ 1000V
  • Сопротивление при 25°C 20.8mOhm @ 50A, 15V
  • Тип симистора 236nC @ 15V
  • Барьерный тип 3.9V @ 23mA
  • Максимальное переменное напряжение Module

Сопутствующие товары


SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

Инвентаризация: 51

SIC 2N-CH 1700V 532A MODULE

Инвентаризация: 1

SIC 4N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

Инвентаризация: 59

SIC 6N-CH 1200V 40A MODULE

Инвентаризация: 68

SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B

Инвентаризация: 21

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 5289

Top