Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 10mW
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 141A (Tj)
• Глубина 11000pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 13.9mOhm @ 150A, 15V
• Тип симистора 354nC @ 15V
• Барьерный тип 3.9V @ 34mA
• Максимальное переменное напряжение Module