Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 382A (Tc)
• Глубина 24500pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 300A, 15V
• Тип симистора 908nC @ 15V
• Барьерный тип 3.6V @ 92mA
• Максимальное переменное напряжение Module