Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module, Screw Terminals
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 1660W
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 423A (Tc)
  • Глубина 19500pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 5.7mOhm @ 300A, 20V
  • Тип симистора 1025nC @ 20V
  • Барьерный тип 2.3V @ 15mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение Module

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 5

SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE

Инвентаризация: 7

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

Инвентаризация: 51

SIC 2N-CH 1200V 417A

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 228A

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 630A

Инвентаризация: 0

Top