Инвентаризация:1799

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 73A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 30A, 18V
  • Материал феррулы 313W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 15mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 2430 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 350

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 430

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top