Инвентаризация:1850

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 87mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 160W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 57 nC @ 18 V
  • 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

Top