Инвентаризация:1930

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 73A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 30A, 18V
  • Материал феррулы 313W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 15mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 2430 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

FAN AXIAL 92X25MM 12VDC WIRE

Инвентаризация: 102

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 299

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

Top