Инвентаризация:41012

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 43W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 1105pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 17.4nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 16µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

Инвентаризация: 14398

MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

Инвентаризация: 14019

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 26886

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 3095

MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8

Инвентаризация: 8975

MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 3857

MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT

Инвентаризация: 2867

Top