- Модель продукта IPG20N10S4L35ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:41012
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 43W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A
- Глубина 1105pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 17A, 10V
- Тип симистора 17.4nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.1V @ 16µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101