- Модель продукта IPG16N10S461ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15898
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 29W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A
- Глубина 490pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 61mOhm @ 16A, 10V
- Тип симистора 7nC @ 10V
- Барьерный тип 3.5V @ 9µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Инвентаризация: 9349
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 39512
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Инвентаризация: 5534
