Инвентаризация:4367

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 70W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 970pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 4A, 10V
  • Тип симистора 20.5nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 3095

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8

Инвентаризация: 6260

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Инвентаризация: 5751

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6

Инвентаризация: 2928

Top