Инвентаризация:7500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 58W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Tc)
  • Глубина 420pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 4.5A, 10V
  • Тип симистора 8nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 7229

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT

Инвентаризация: 1678

MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT

Инвентаризация: 11698

MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT

Инвентаризация: 2867

Top