Инвентаризация:8729

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 50W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Глубина 2250pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 15.5mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 29nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


TRENCH >=100V PG-HSOG-8

Инвентаризация: 1806

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

Top