Инвентаризация:19061

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 33W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 1430pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 10µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


SENSOR 58.89PSIA 24BIT 10HLGA

Инвентаризация: 7868

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

Top