Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 46W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36.7A
  • Глубина 1170pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 27nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


SENSOR 1.02PSID 0.13" 4.5V 8SOP

Инвентаризация: 125

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP

Инвентаризация: 2356

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5304

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8

Инвентаризация: 13686

MOSFET N-CH 250V 45A TO263

Инвентаризация: 9641

Top