- Модель продукта SQJ431EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15186
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 213mOhm @ 1A, 4V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 160 nC @ 10 V
- 4355 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Инвентаризация: 411126
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Инвентаризация: 0
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Инвентаризация: 19900
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
