- Модель продукта SQJ431EP-T2_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 213mOhm @ 3.8A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 106 nC @ 10 V
- 4355 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Инвентаризация: 54410
P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Инвентаризация: 5209
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Инвентаризация: 13686
