- Модель продукта FQP6N80C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1630
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
- Материал феррулы 158W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 30 nC @ 10 V
- 1310 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Инвентаризация: 1239
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3000
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Инвентаризация: 14475
