Инвентаризация:4848

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.6mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 625 nC @ 10 V
  • 22000 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 6651

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL SC70-6

Инвентаризация: 49530

IC TRANSLATION TXRX 3.6V 16UQFN

Инвентаризация: 22477

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Инвентаризация: 0

Top