Инвентаризация:15105

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 23W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 25A
  • Глубина 1220pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
  • Тип симистора 32nC @ 8V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON

Инвентаризация: 41888

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323

Инвентаризация: 887967

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

Инвентаризация: 42090

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212

Инвентаризация: 14319

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 17087

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 2905

Top