Инвентаризация:4405

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 17.8W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A
  • Глубина 860pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Тип симистора 24nC @ 8V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 8022

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

Инвентаризация: 352091

MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC

Инвентаризация: 22672

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 13008

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 2990

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212

Инвентаризация: 13488

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

Top