- Модель продукта SIS990DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:14988
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 25W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.1A
- Глубина 250pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 8A, 10V
- Тип симистора 8nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 39512
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Инвентаризация: 13605
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 2905
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Инвентаризация: 7959
