Инвентаризация:9459

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 23W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Глубина 1100pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 11.71mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC

Инвентаризация: 1211

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

Инвентаризация: 16200

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1211

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Инвентаризация: 6763

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212

Инвентаризация: 13488

Top