- Модель продукта SIA456DJ-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17700
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SC-70-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
- Материал феррулы 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- Барьерный тип 1.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SC-70-6
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±16V
- 200 V
- 14.5 nC @ 10 V
- 350 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Инвентаризация: 1832
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Инвентаризация: 11272
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Инвентаризация: 6763
