Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Барьерный тип 3.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 69 nC @ 10 V
  • 2410 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP

Инвентаризация: 1169

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1211

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Инвентаризация: 6763

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

Top