Инвентаризация:14508

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 20.8W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A
  • Глубина 670pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 19nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8

Инвентаризация: 17592

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1211

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8

Инвентаризация: 6260

Top