Инвентаризация:7760

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 187W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Глубина 2832pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 8.6mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 58nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN

Инвентаризация: 3760

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

Инвентаризация: 6925

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

IC BUFFER NON-INVERT 6V 16TSSOP

Инвентаризация: 13121

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

Инвентаризация: 4210

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Инвентаризация: 0

Top