Инвентаризация:5710

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 71W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Глубина 1950pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26

Инвентаризация: 5877

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 25680

IC INVERTER 2CH 2-INP SOT23-6

Инвентаризация: 13963

MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8

Инвентаризация: 6260

Top