Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerVDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 52W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 40V
• Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tj)
• Глубина 1136pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 30A, 10V
• Тип симистора 19nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2V @ 13µA
• Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-57
• Диаметр - Плечо Automotive
• AEC-Q101