Инвентаризация:11143

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 75W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tj)
  • Глубина 1922pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 30A, 10V
  • Тип симистора 30nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-56
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON

Инвентаризация: 19804

IAUC60N04S6L039ATMA1

Инвентаризация: 13786

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

Top