Инвентаризация:15286

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.02mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 42W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 14µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±16V
  • 40 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 1179 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Инвентаризация: 14407

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 9643

IAUC60N04S6N044ATMA1

Инвентаризация: 14097

Top