Инвентаризация:21304

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 41W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tj)
  • Глубина 701pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 22A, 10V
  • Тип симистора 12nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 9µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-57
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 4523

Top