- Модель продукта IAUC60N04S6N050HATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 52W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tj)
- Глубина 1027pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 30A, 10V
- Тип симистора 17nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 13µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-57
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50
Инвентаризация: 90
IAUC120N04S6N013ATMA1
Инвентаризация: 14470
MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Инвентаризация: 19804
IAUC60N04S6L039ATMA1
Инвентаризация: 13786
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Инвентаризация: 29448
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Инвентаризация: 9643
IAUC60N04S6N044ATMA1
Инвентаризация: 14097
