Инвентаризация:1590

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.3W (Ta), 60W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 79A (Tc)
  • Глубина 1083pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 25A, 10V
  • Тип симистора 13.2nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

Инвентаризация: 605

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 4523

Top