Инвентаризация:3312

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 85W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 98A (Ta)
  • Глубина 2590pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 37nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.6V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

Инвентаризация: 605

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

Инвентаризация: 1243

MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8

Инвентаризация: 1657

Top