Инвентаризация:22737

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 29W, 100W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A, 28A
  • Глубина 790pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 13.8A, 10V
  • Тип симистора 21nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)

Сопутствующие товары


TERM BLK 2P SIDE ENT 5.08MM PCB

Инвентаризация: 218179

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 12

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3

Инвентаризация: 81298

MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3

Инвентаризация: 42620

MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Инвентаризация: 836

MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 836

Top